| 型号： | HGT1S12N60A4DS | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 |
| HGT1S12N60A4DS PDF |  |
| 产品目录绘图 | IGBT TO-263AB Pkg |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | - |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.7V @ 15V，12A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 54A |
| 功率 - 最大 | 167W |
| 输入类型 | 标准 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 包装 | 管件 |
| 产品目录页面 | 1610 (CN2011-ZH PDF) |