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参数目录39866
> HGT1S12N60A4DS IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK
型号:
HGT1S12N60A4DS
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
HGT1S12N60A4DS PDF
产品目录绘图
IGBT TO-263AB Pkg
标准包装
50
系列
-
IGBT 类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
Vge, Ic时的最大Vce(开)
2.7V @ 15V,12A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
54A
功率 - 最大
167W
输入类型
标准
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D²PAK
包装
管件
产品目录页面
1610 (CN2011-ZH PDF)
查看HGT1S12N60A4DS代理商
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